奔驰宝马bcbm_IBM携三星推全球首颗7纳米芯片采EUV技术

IBM研究实验室（IBMResearch）9日宣告，IBM与伙伴格罗方德半导体（GlobalFoundriesInc.）、三星和纽约州而立大学纳米理工学院再一突破根本性瓶颈，联合打造出全球首颗7纳米芯片原型，工程进度打破英特尔（IntelCorp.）等竞争对手。　　IBM半导体科技研究部副总裁MukeshKhare回应，这款测试芯片首度在7纳米晶体管内重新加入一种叫作「硅锗」（silicongermanium，全称SiGe）的材料，并使用了近于紫外光（EUV）微影技术。荷兰半导体设备大厂艾司摩尔（ASMLHoldingNV）本身研发的EUV设备一台要价1.5亿美元，互为较之下他种微影系统一台售价只有5,000万美元。

　　ArsTechnica9日认为，7纳米制程芯片最少还要等两年才能具备商业用途，但IBM与其伙伴的突破仍具备重大意义。首先，这款芯片使用的制程技术高于10纳米，还是第一款用于硅锗的10纳米以下FinFET逻辑芯片，另外也是全球第一个引入EUV技术、能有商业用途的芯片设计。

　　英特尔对14纳米制程技术的校正工程进度已延后大约六个月，目前则在研发10纳米技术，未来将会于2016年问世。英特尔资深主管MarkBohr最近曾回应，该公司的7纳米制程应当不必须转用EUV设备，但他未透漏更加多细节。　　彭博社报导，英特尔是ASML在美国的仅次于客户。

INGBankNV分析师RobinvandenBroek当时在拒绝接受采访时认为，这显著是英特尔想在7纳米制程技术中引入EUV设备，而假如以长时间的报价计算出来，这笔订单的金额将低约15亿欧元；也就是说，英特尔已将一笔为数极大的资金投入了7纳米制程科技。denBroek还说道，ASML另外两家大客户分别是三星与台积电，他指出这两家业者也不会第一时间引入EUV。　　台积电联合执行长刘德音曾在4月16日回应，台积电已开始研发7纳米制程技术，预计2017年就转入最后试产阶段的风险生产(RiskProduction)。

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